EMI SHIELD

끊임없는 열정으로 항상 발전하는 씨앤아이테크놀로지가 되겠습니다.

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최근 스마트폰은 기능을 향상시키기 위해 기기에 탑재하는 무선시스템의 수가 늘고 있습니다. 한편 내장회로의 클럭(clock) 주파수와 데이터 전송속도는 빨라져서
무선시스템에서 사용하는 전자기 잡음이 발생하기 쉽습니다. 종래에는 잡음을 차단하기 위해 기판 레벨의 “Can shield” 방식을 사용하였기 때문에 기기를 소형화하고, 박형화하는데 장애가 되었습니다. 이것을 해결하기 위해서 반도체 패키지 자체를 차폐하는 새로운 기술이 등장하였습니다.
패키지 레벨에서 전자파 차폐를 하면 PCB 기판 소형화 및 박형화가 가능합니다. 또한 패키지 차폐한 반도체 부품은 시스템기판의 어느 위치에든지 배치할 수 있는
장점이 있습니다. 씨앤아이테크놀로지는 고품질의 전자파 차폐막을 형성할 수 있는 인라인 스퍼터링 시스템을 개발하였습니다.

반도체 패키지 레벨의 전자파 차폐막을 형성하는 방법에는 스퍼터링, 도금, 페인팅 등이 있습니다. 스퍼터링은 진공에서 타겟을 이용하여 차폐 막을 증착하므로
다른 방법에 비해 고밀도 차폐막을 형성할 수 있습니다. 또한 두께 조절이 용이하고 수율이 높은 장점이 있습니다.

Sputtering Plating Painting(Spray Coating)
Mvaterials Conductive materials : Cu
Passivation materials : SUS, Ni
Seed layer : Cu
Electrolytic Cu, Ni
Conductive material : Ag, Ag/Cu
Based material : Epoxy, Silicon, Acrylic
Film Thickness ~ 10 um ~ 30 um ~ 100 um
Thickness Control Controllable Variational Variational
Environment VOCs1) Free VOCs Free VOCs
Backside Masking Not necessary Necessary Necessary
Shielding Life Long duration Long duration Short duration
Consumable Materials Target, Process gas Cu, Ni electrolyte Ag, Cu Paint
Yield > 98% N/A N/A
Process Flow

1) VOCs : Volatile Organic Compounds

Step coverage

SIGMA1000™은 트레이 회전 및 스퍼터링 각도를 조절함으로써, Step coverage가 50% 이상인 차폐막을 형성할 수 있습니다.
Step coverage가 높은 차폐막을 증착하여 타겟 사용 효율을 극대화시키며, 증착 공정 시간을 단축시켜 생산량이 크게 증대 됩니다.

Section direction Top thickness Side thickness

Full automation system

SIGMA1000™은 자동화 시스템 구현으로 양산 공정에 최적화되어 있습니다. 특히 기존에 테이프방식으로 반도체 패키지를 핸들링해야 하는
한계에서 벗어나 탈부착이 용이한 물질(H-VAMs™)을 개발하여 자동화 시스템를 실현 하였습니다.

High throughput

SIGMA1000™은 Step coverage에 영향을 주지 않는 범위에서 반도체 패키지 간의 간격을 최대한 줄이므로 생산량을 극대화 하였습니다.
또한 Tact time을 최대한 줄여 UPH(unit per hour)를 기존 스퍼터링 장비 대비 2배 이상 개선하였습니다.

Adhesion property

SIGMA1000™은 plasma treatment을 이용한 표면 개질 처리를 통해 반도체 패키지의 몰딩재와 쉴드막 간의 접착력(adhesion)을 크게 향상 시켰습니다.물리적으로는 반도체 패키지 표면의 거칠기(roughness) 개선하여 표면적이 증가합니다. 이와 더불어 화학적으로는 계면에서 활성화된 산소원자의 증가, 이온농도 감소, 탄소원소 감소 등의 효과로 표면에너지가 증가하는 변화가 일어납니다.
표면에너지의 변화는 접촉각(contact angle)으로 측정할 수 있습니다.

  Before plasma treatment After plasma treatment
AFM Image
Contact angle